[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201310058786.8 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104009072A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 褚为利;朱阳军;田晓丽;卢烁今;胡爱斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括：集电区；位于所述集电区表面上的超结漂移区；位于所述超结漂移区表面上的有源区以及第一终端结构，所述第一终端结构包围所述有源区；包围所述超结漂移区以及第一终端结构的第二终端结构，所述第二终端结构的宽度在第一方向上递增，所述第一方向由所述集电区指向所述有源区；其中，所述第二终端结构的底部与所述集电区接触，其顶部与所述有源区的顶部齐平。本申请所述绝缘栅双极型晶体管设置有第二终端结构，该第二终端结构作为绝缘栅双极型晶体管的反向耐压终端结构，能有效提高绝缘栅双极型晶体管承受反向耐压的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：集电区；位于所述集电区表面上的超结漂移区；位于所述超结漂移区表面上的有源区以及第一终端结构，所述第一终端结构包围所述有源区；包围所述超结漂移区以及第一终端结构的第二终端结构，所述第二终端结构的宽度在第一方向上递增，所述第一方向由所述集电区指向所述有源区；其中，所述第二终端结构的底部与所述集电区接触，其顶部与所述有源区的顶部齐平。
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