[发明专利]具有分离的滤色器的BSI图像传感器芯片及其形成方法有效
| 申请号： | 201310058918.7 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103426893A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 蔡双吉;杨敦年;刘人诚;林政贤;洪丰基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种器件，该器件包括具有正面和背面的半导体衬底。多个图像传感器设置在该半导体衬底的正面上。多个清色滤色器设置在该半导体衬底的背面上。多个金属环围绕多个清色滤色器。本发明还提供了一种具有分离的滤色器的BSI图像传感器芯片及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分离 滤色器 bsi 图像传感器 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：半导体衬底，具有正面和背面；多个图像传感器，设置在所述半导体衬底的所述正面上；多个清色滤色器，位于所述半导体衬底的所述背面上；以及多个金属环，每个金属环都围绕所述多个清色滤色器中的一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
