[发明专利]石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310058949.2 申请日: 2013-02-25
公开(公告)号: CN103117312A 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: 于淑珍;董建荣;李奎龙;孙玉润;赵勇明;赵春雨;杨辉 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/065;H01L31/18
代理公司: 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 代理人: 孙东风;王锋
地址: 215125 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括多结电池和石墨烯/金属复合电极,该复合电极包括:离散分布在多结电池采光面上、并与多结电池形成欧姆接触的多个块状金属电极;以及覆设在该等金属电极上,并与该等金属电极形成欧姆接触的石墨烯膜;其制备方法包括:在多结电池采光面上设置多个与多结电池形成欧姆接触的块状金属电极.然后将石墨烯膜覆设在该等块状金属电极上并形成欧姆接触。本发明采用石墨烯/金属复合电极替代传统条形金属栅电极,可以显著降低金属电极的遮光面积,增加有效的光吸收面积,提高太阳电池的转换效率,同时降低多结太阳电池的成本,加快太阳能发电的应用与发展。
搜索关键词: 石墨 金属 复合 电极 半导体 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池,包括多结电池,其特征在于,它还包括石墨烯/金属复合电极,所述石墨烯/金属复合电极包括:离散分布在所述多结电池的采光面上、并与多结电池形成欧姆接触的复数个块状金属电极;以及,覆设在该复数个块状金属电极上,并与该复数个块状金属电极形成欧姆接触的石墨烯膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310058949.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top