[发明专利]高居里温度低损耗高强度铁氧体磁块及其制备方法

摘要

一种高居里温度低损耗高强度铁氧体磁块及其制备方法，属于Mn-Zn系铁氧体技术领域。主要原料包括氧化铁、氧化锰和氧化锌，辅助原料包括碳酸钙、氧化钛、氧化钴、氧化硅、氧化铬、氧化铌、氧化镍和氧化铜，主要原料的组分为：55-61mol%的按Fe2O3计算的氧化铁、33-40mol%的按MnO计算的氧化锰和5-10mol%的按ZnO计算的氧化锌；相对于所述主要原料的总重量，所述的辅助原料的添加量为：CaCO3:500-3000ppm，TiO2:80-3000ppm，Co2O3:50-1200ppm，超细SiO2：20-200ppm，Cr2O3:100-1500ppm，Nb2O5:100-1500ppm，NiO：600-2000ppm和CuO：600-2000ppm。优点:初始磁导率可降至保持在1400±25%，在100KHz200mT且温度为100℃时的功耗小于550kw/m3，100℃饱和磁通密度大于410mT，居里温度大于275℃，磁块强度能满足强度检测标准（F>40N）。

主权项

一种高居里温度低损耗高强度铁氧体磁块，其特征在于包括主要原料和辅助原料，所述主要原料包括氧化铁、氧化锰和氧化锌，所述辅助原料包括碳酸钙、氧化钛、氧化钴、氧化硅、氧化铬、氧化铌、氧化镍和氧化铜，所述主要原料的组分为：55‑61mol%的按Fe2O3计算的氧化铁、33‑40mol%的按MnO计算的氧化锰和5‑10mol%的按ZnO计算的氧化锌；相对于所述主要原料的总重量，所述的辅助原料的添加量为：CaCO3： 500‑3000ppm ，TiO2：80‑3000ppm，Co2O3：50‑1200ppm，超细SiO2：20‑200ppm，Cr2O3 ：100‑1500ppm，Nb2O5：100‑1500ppm，NiO：600‑2000ppm和CuO：600‑2000 ppm。