[发明专利]一种高纯钽靶材的生产方法有效
申请号: | 201310059475.3 | 申请日: | 2013-02-26 |
公开(公告)号: | CN103147050A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 赵珍珍;方庆;谢玉 | 申请(专利权)人: | 昆山海普电子材料有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 汪青 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种高纯钽靶材的生产方法,其包括(1)将大小为5~10mm*5~10mm的钽块置于氢化炉中进行吸氢;(2)将吸氢完毕的钽破碎成-200目的粉末,置于钢包套中,按一定速率和阶段进行升温和抽气,之后将钢包套置于热等静压机中进行烧结,烧结温度为1100~1500℃,气氛压力为50~200MPa,最后机加工,切割成规定形状,即得。本发明采取粉末冶金的方法并结合特定的工艺条件,可以获得织构分布均匀、晶粒大小分布均匀且晶粒尺寸小的钽靶材,该靶材具有高沉积速度和较好的膜均一性,产生出较少的电弧和粒子并具有较好的成膜性能。特别是,本发明的方法的工艺过程简单,成本较低。 | ||
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【主权项】:
一种高纯钽靶材的生产方法,其特征在于:所述的生产方法包括依次进行的如下步骤:(1)、选择纯度大于99.999%的钽锭为原料,将钽锭切割成大小为5~10mm*5~10mm的块体,将钽块置于氢化炉中,将真空抽至6.67×10‑3Pa及以下,然后充入1atm氢气,再将真空度抽至6.67×10‑3Pa及以下,充入氢气,将炉内压力调为10‑1Pa级,开始加热,升温速率为100~400℃/h,温度升至300~500℃时,保持炉内氢气压力为0.5~1.2atm,持续升温直至温度达550~850℃,待炉内压力不再出现下降时,停止加热,随炉冷却,温度低于50℃时出炉;(2)、将吸氢完毕的钽颗粒用对辊破碎机破碎成‑100目的粉末,再用气流粉碎机粉碎成为‑200目的粉体,然后置于钢包套中,抽气,让炉内压力保持在10‑2Pa级,然后将钢包套置于井式加热炉中加热,升温速率为100~400℃/h,温度升至300~500℃时,开始持续抽气,炉内压力保持在10‑1Pa级,持续升温直至温度达600~900℃,待炉内压力不再变化时,停止抽气,将抽气口焊死,之后将钢包套置于热等静压机中进行烧结,烧结温度为1100~1500℃,气氛压力为50~200MPa,保温时间为1~5小时,随炉冷,泄压,从钢包套中取出钽,机加工,切割成规定形状,即得所述高纯钽靶材。
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