[发明专利]一种高线性高效率射频功率放大器

摘要

本发明涉及一种高线性高效率射频功率放大器，包括五个电容C1、C2、C3、C4、C5，四个电阻R1、R2、R3、R4，四个NMOS管M1、M2、M3、M4，两个电感L1、L2，输入射频信号Rfin通过电容C1、C2和C3分别输入到NMOS管M1、M2和M4的栅极，偏置电压Vb1、Vb2、Vb3、Vb4分别通过电阻R1、R2、R3、R4给NMOS管M1、M2、M3和M4提供直流；NMOS管M2的漏极接NMOS管M4的源极，NMOS管M1的漏极接NMOS管M3的源极；本发明功率放大器增强了晶体管的抗击穿能力，提高了输出功率，并实现了功率放大器的高线性和高效率。

主权项

一种高线性高效率射频功率放大器，其特征在于：包括五个电容C1、C2、C3、C4、C5，四个电阻R1、R2、R3、R4，四个NMOS管M1、M2、M3、M4，两个电感L1、L2，具体连接关系为：输入射频信号Rfin分别连接电容C1的一端、电容C2的一端和电容C3的一端；电容C1的另一端连接NMOS管M1的栅极，电容C2的另一端连接NMOS管M2的栅极，电容C3的另一端连接NMOS管M4的栅极；偏置电压Vb1连接电阻R1的一端，偏置电压Vb2连接电阻R2的一端，偏置电压Vb3连接电阻R3的一端，偏置电压Vb4连接电阻R4的一端；电阻R1的另一端连接NMOS管M1的栅极，电阻R2的另一端连接NMOS管M2的栅极，电阻R3的另一端连接NMOS管M3的栅极，电阻R4的另一端连接NMOS管M4的栅极；NMOS管M2的漏极连接NMOS管M4的源极，NMOS管M1的漏极连接NMOS管M3的源极，NMOS管M3的漏极和NMOS管M4的漏极连接电感L1的一端和电容C4的一端；电感L1的另一端接电源VDD；电容C4的另一端连接电感L2和电容C5的一端，电容C5的另一端为输出射频信号端口，NMOS管M1的源极、NMOS管M2的源极和电感L2的另一端均接地。