[发明专利]一种低温制备石墨烯薄膜的方法无效
| 申请号： | 201310060733.X | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103407988A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 杨连乔;王浪;吴行阳;张建华;陈伟 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温制备石墨烯薄膜的方法。该方法包括如下步骤：1)金属基底上制备类金刚石（DLC）薄膜；2)在非氧化气氛中，一定温度下处理步骤1)所得覆有DLC薄膜的金属基底，DLC薄膜石墨化并在金属催化作用下形成石墨烯。该方法创新性的使用DLC作为石墨烯生长的前驱体，降低了石墨烯的制备温度，并可以通过在DLC制备过程中采用掩模板轻松实现石墨烯薄膜的图形化制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 制备 石墨 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种低温制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于该方法的具体步骤为：a.在金属基底上沉积一层类金刚石DLC薄膜；b.将步骤a所得的覆有DLC薄膜的金属基底置于非氧化性气氛中，升温至300～500℃，保温1～200分钟，DLC薄膜在高温下发生石墨化并在金属基底催化下形成石墨烯，在非氧化性气氛中降温至室温，得到覆于金属基底上的石墨烯薄膜。
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