[发明专利]光感测元件及其制作方法有效
申请号: | 201310061021.X | 申请日: | 2008-11-06 |
公开(公告)号: | CN103151417A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 陈信学;刘婉懿;彭佳添;许宗义;曾任培 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/02;H01L31/18 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;张龙哺 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种光感测元件,包含金属导电层、界面介电层、富硅介电层以及透明导电层。界面介电层形成于金属导电层上,富硅介电层形成于界面介电层上,而透明导电层则是形成于富硅介电层上。本发明可以改善其中光电流与光线照度无法呈现线性关系的问题,以增进光感测元件的品质。 | ||
搜索关键词: | 光感测 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种光感测元件,包含:一金属导电层,该金属导电层包含钛‑铝‑钛金属;一界面介电层,形成于该金属导电层上,该界面介电层的材料选自金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物及其组合所组成的群组,该界面介电层的厚度为10至300埃,其中该界面介电层包含对该金属导电层进行一等离子体表面改质处理工艺而形成;一富硅介电层,形成于该界面介电层上,用于感测光线而产生光电流,该富硅介电层的材料选自富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅及其组合所组成的群组,或者选自氢化富硅氧化硅、氢化富硅氮化硅、氢化富硅氮氧化硅及其组合所组成的群组;以及一透明导电层,形成于该富硅介电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的