[发明专利]一种具有六棱锥形p型氮化镓的发光二极管制备方法无效
| 申请号： | 201310061428.2 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103107251A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 杜成孝;魏同波;吴奎;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有六棱锥形p型氮化镓的发光二极管制备方法，其包括如下步骤：在发光二级管外延片上沉积掩蔽层；在所沉积掩蔽层上旋涂上光刻胶，并在光刻胶上铺单层密排自组装小球；进行曝光，去除所述单层密排自组装小球；进行显影获得带有孔洞图形的光刻胶模板；将所述孔洞图形转移至所述掩蔽层，并去除带有孔洞图形的光刻胶模板，获得带有孔洞图形的掩蔽层模板；在所述带有孔洞图形的掩蔽层模板上生长出六棱锥状p型氮化镓，并去除所述掩蔽层模板，最终获得带有六棱锥状p型氮化镓的发光二级管外延片。上述方法将选区外延和自然光刻技术相结合，在发光二级管p型氮化镓表面制作低损耗光子晶体结构，可以有效的提高发光二级管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 棱锥 氮化 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有六棱锥形p型氮化镓的发光二极管的制备方法，包括：步骤1：在发光二极管外延片上沉积掩蔽层；步骤2：所沉积的掩蔽层上涂上光刻胶，并在光刻胶上铺单层密排自组装小球；步骤3：对所述单层密排自组装小球进行曝光后，去除所述单层密排自组装小球；步骤4：对去除所述单层密排自组装小球后的所述外延片进行显影获得带有孔洞图形的光刻胶模板；步骤5：将所述孔洞图形转移至所述掩蔽层，并去除带有孔洞图形的光刻胶模板，获得带有孔洞图形的掩蔽层模板；步骤6：将所述带有孔洞图形的掩蔽层模板转移至金属有机物气象化学淀积生长室中，生长出六棱锥状p型氮化镓，并去除所述掩蔽层模板，最终获得具有六棱锥状p型氮化镓的发光二级管外延片。
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