[发明专利]在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法有效
| 申请号： | 201310061485.0 | 申请日： | 2013-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103107252A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 杨海方;尹红星;顾长志;刘哲;夏晓翔 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法，其步骤包括：在AlGaInP基LED的GaP表面旋涂光刻胶，利用热板或烘箱对其进行烘烤；根据所要制备的图形尺寸及形状制备掩膜版；利用紫外光刻设备，采用欠曝光对样品进行曝光并显影；选择合适的温度对曝光后的样品进行热流处理，形成类球形形状的光刻胶结构样品；将光刻胶结构样品用感应耦合等离子体刻蚀设备进行刻蚀，从而将光刻胶形状转移到GaP表面；用丙酮溶液或者去胶机去除样品表面的残胶即得到增强AlGaInP基LED光提取效率的GaP类球形结构。 | ||
| 搜索关键词： | algainp led gap 表面 制备 球形 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种在AlGaInP基LED的GaP表面制备类球形结构的方法，所述制备步骤包括：步骤S1：在需要制备图形结构的AlGaInP基LED基片上旋涂光刻胶，利用热板或烘箱对涂覆光刻胶后的样品进行烘烤，得到覆有光刻胶的样品；步骤S2：根据所要制备的图形尺寸及形状制备相应的掩膜版；步骤S3：利用紫外光刻设备，并用欠曝光的方法对覆有光刻胶的样品进行曝光，并将曝光后的样品进行显影、定影处理，得到含有光刻胶图形的样品；步骤S4：选择高于光刻胶玻璃化温度的温度对含有光刻胶图形的样品进行热流处理，形成三维的类球形形状的光刻胶结构样品；步骤S5：利用干法刻蚀方法，对三维的类球形形状的光刻胶结构样品进行刻蚀，将光刻胶形状转移到GaP表面，得到在GaP表面上具有三维类球形结构的样品；步骤S6：用丙酮溶液或者去胶机去除GaP表面的残胶，即在AlGaInP基LED的GaP表面得到类球形结构。
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