[发明专利]一种霍山石斛的种植方法

摘要

本发明提供一种霍山石斛的种植方法，其特征在于以树皮碎屑、米心石(质量比2∶1)为种植基质，并经过下列步骤：A.用0.05～0.1％的高锰酸钾溶液，或者0.2％的百菌清浸泡基质5天，捞出晾晒后平铺于种植床上，控制基质厚度10～15cm；B.将石斛幼苗取出，清水洗净根部后用海藻进行包根；C.按10～15×15～20cm的株行距种植于上述基质中；D.种植后适量浇水、喷施营养液，喷洒杀菌剂或/和杀虫剂，10～15个月即可采收。本发明具有取材容易、成本低、可循环使用、保水保肥效果好、密实度高等优点，有利于霍山石斛的良性生长，植株成活率高，劳动强度低，能使树皮碎屑这一废物得到充分利用。

主权项

一种霍山石斛的种植方法，其特征在于以树皮碎屑和米心石为种植基质，并经过下列步骤：A.用0.05～0.1％的高锰酸钾溶液，或者0.2％的百菌清浸泡基质5天，捞出晾晒后平铺于种植床上，控制基质厚度10～15cm；B.将霍山石斛幼苗取出，清水小心洗净根部，后用海藻进行包根；C.按10～15×15～20cm的行距种植于A步骤的基质中；D.种植后每2～5天浇水一次，操作按具体情况而定，每7天喷洒一次浓度为0.12％的JT溶液，并喷洒防病用的杀菌剂或/和防虫用的杀虫剂，E.霍山石斛的生长温度不超过35℃，湿度保持80％，10～15个月即可采收。