[发明专利]带透明导电性氧化物膜的基体

摘要

本发明涉及带透明导电性氧化物膜的基体，其特征在于，依次层叠有透明基体、该基体上的第一膜、和第二膜，第二膜与第一膜相接触、膜厚为10~100nm，第一膜为透明导电性的以氧化锡为主成分的氧化物膜，至少第一膜的与第二膜相接触的表面部分为氟与锡的摩尔比为0.0001~0.09的氟掺杂氧化锡，第二膜为透明导电性的包含氧化钛和氧化锡的氧化物膜，在从第二膜的表面到与第一膜相接触的面的膜厚方向上锡与锡和钛总量的摩尔比是变化的，以从第二膜的表面起沿膜厚方向到5nm为止的深度范围的该摩尔比最大的值为表面值、以第二膜的膜厚方向上的总膜厚内的该摩尔比最小的值为最小值时表面值为0.45以上且为最小值的1.2倍以上。

主权项

一种带膜的基体，其特征在于，其为依次层叠有透明基体、所述基体上的第一膜、和第二膜的带膜的基体，所述第二膜与所述第一膜相接触、膜厚为10~100nm，所述第一膜为透明且具有导电性的、以氧化锡为主成分的氧化物膜，至少第一膜的与所述第二膜相接触的表面部分为氟（F）相对于锡（Sn）的摩尔比F/Sn为0.0001~0.09的氟掺杂氧化锡，所述第二膜为透明且具有导电性的、包含氧化钛和氧化锡的氧化物膜，在从所述第二膜的表面起到与所述第一膜相接触的面为止的膜厚方向上，锡（Sn）相对于锡（Sn）与钛（Ti）的总量的摩尔比Sn/（Sn+Ti）是变化的，将从所述第二膜的表面起沿膜厚方向到5nm为止的深度范围的摩尔比Sn/（Sn+Ti）最大的值作为表面值、将所述第二膜的膜厚方向上的总膜厚内的摩尔比Sn/（Sn+Ti）最小的值作为最小值时，所述表面值为0.45以上、且为所述最小值的1.2倍以上。