[发明专利]光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法有效
申请号: | 201310062459.X | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN103296105A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 下津佐峰生;市川武史;关根康弘 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈华成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法。一种光电转换装置,包括第一半导体衬底和第二半导体衬底,第一半导体衬底包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元,而第二半导体衬底包括用于处理基于在光电转换单元中生成的信号电荷的电信号的信号处理单元。该信号处理单元位于从光电转换单元到第二半导体衬底的正交投影区域中。包括多个绝缘体层的多层膜在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间设置。第二半导体衬底的厚度小于500微米。第二半导体衬底的厚度大于第二半导体衬底与第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 图像 拾取 系统 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置,包括:第一半导体衬底,包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元;以及第二半导体衬底,包括:用于处理基于所述信号电荷的电信号的信号处理单元,所述信号处理单元位于从所述光电转换单元到所述第二半导体衬底的正交投影区域中;以及多层膜,包括在所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底之间设置的多个绝缘体层,其中所述第二半导体衬底的厚度小于500微米,并且所述第二半导体衬底的厚度大于所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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