[发明专利]常关闭型化合物半导体隧道晶体管有效
| 申请号： | 201310063593.1 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103296079A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | G.库拉托拉;O.赫贝伦 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 谢攀;刘春元 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及常关闭型化合物半导体隧道晶体管。本文公开了常关闭型化合物半导体隧道场效应晶体管的实施例，常关闭型化合物半导体隧道场效应晶体管在室温下具有高于100mA每mm栅极长度的驱动电流和低于60mV每十倍的亚阈值斜率，并且公开了制造此类常关闭型化合物半导体隧道晶体管的方法。化合物半导体隧道场效应晶体管是快速切换的且能够用于高电压应用，例如30V直至600V以及更高。 | ||
| 搜索关键词： | 关闭 化合物 半导体 隧道 晶体管 | ||
【主权项】：
一种隧道晶体管，包括：第一化合物半导体；第一化合物半导体上的第二化合物半导体；第二化合物半导体上的第三化合物半导体；第一掺杂区域，延伸通过第二化合物半导体进入第一化合物半导体中；第二掺杂区域，与第一掺杂区域间隔分开并且延伸通过第三化合物半导体进入第二化合物半导体中，第二掺杂区域具有与第一掺杂区域相反的掺杂类型；第一二维电荷载流子气，由于极化电荷而出现并且在第一化合物半导体中从第一掺杂区域向第二掺杂区域延伸并且在到达第二掺杂区域之前结束；第二二维电荷载流子气，由于极化电荷而出现并且在第二化合物半导体中从第二掺杂区域向第一掺杂区域延伸并且在到达第一掺杂区域之前结束；和第一和第二二维电荷载流子气之上的栅极。
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