[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201310063719.5 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104022200A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 刘岩;刘存志;王成新 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基发光二极管芯片，包括由下而上设置的n型GaN层、量子阱层、p型GaN层和透明导电层；在所述透明导电层和n型GaN层上分别设置有金属电极；在所述p型GaN层上、且与金属电极相对的位置设置有等离子体轰击区域。本发明还涉及一种上述GaN基发光二极管芯片的制备方法。本发明所述GaN基发光二极管芯片，通过选择性的对p型金属电极下方对应的p型GaN层表面上进行等离子体轰击形成等离子体轰击区域，使该区域p型GaN层与上面的ITO透明导电膜之间无法形成欧姆接触区域，从而起到电流扩展的目的。本发明所述的GaN基发光二极管芯片的制备方法步骤简单、成本低，适合批量化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管芯片，包括由下而上设置的n型GaN层、量子阱层、p型GaN层和透明导电层；在所述透明导电层和n型GaN层上分别设置有金属电极；其特征在于，在所述p型GaN层上、且与金属电极相对的位置设置有等离子体轰击区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司，未经山东浪潮华光光电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310063719.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：烟气和干粉混合反应装置
- 下一篇：生育酚琥珀酸酯结晶釜
