[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板、制备方法以及显示装置有效
| 申请号： | 201310064170.1 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103151305A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 孔祥永;刘晓娣;成军;陈江博 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，具体的涉及一种薄膜晶体管阵列基板制备方法、薄膜晶体管阵列基板以及显示装置。一种薄膜晶体管阵列基板制备方法，包括以下步骤：在基板上形成栅电极层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层、钝化层以及像素电极层，其中，所述钝化层通过构图工艺形成包括过孔的结构图案，所述像素电极层通过滴注方式形成在结构图案区域内，所述源漏电极层与所述像素电极层通过过孔连接。该薄膜晶体管阵列基板制备方法，减少了采用构图工艺形成像素电极层的步骤，减少了掩模板的使用量，提高像素电极形成材料的利用率，同时降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 制备 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列基板制备方法，包括以下步骤：在基板上形成栅电极层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层、钝化层以及像素电极层，其特征在于，所述钝化层通过构图工艺形成包括过孔的结构图案，所述像素电极层通过滴注方式形成在结构图案区域内，所述源漏电极层与所述像素电极层通过过孔连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310064170.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
