[发明专利]一种微孔金属填充结构及方法有效
申请号: | 201310064231.4 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN103107129A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 顾杰斌;黄绪国;李昕欣;杨恒;江翔 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;湖州中微科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种微孔金属填充结构及方法,该填充结构包括密封腔、三明治结构;密封腔包括进出气孔;密封腔围成有容纳液态金属槽的空间;三明治结构包括由上至下依次叠加阻挡片、填充基片和喷嘴片;填充基片上设有填充微孔;喷嘴片上设有与填充微孔垂直对应的喷嘴孔;阻挡片与填充基片之间设有第一间隙;填充基片与喷嘴片之间设有第二间隙;喷嘴孔最窄处的半径小于填充微孔的半径的1/2以上;三明治结构的侧壁全部嵌入到密封腔内;喷嘴片的下表面在金属填充时紧贴液态金属槽的上表面。本发明利用压力差将液态金属槽中的金属吸入微米级别的填充微孔中,依据表面张力原理将已填充在微孔中的金属与金属槽在喷嘴孔中切断,填充速度快,时间短,准确度高。 | ||
搜索关键词: | 一种 微孔 金属 填充 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种微孔金属填充结构,其特征在于,所述微孔金属填充结构包括:密封腔,包括进出气孔;三明治结构,包括由上至下依次叠加阻挡片、填充基片和喷嘴片;所述填充基片夹在所述阻挡片和喷嘴片之间;所述填充基片上设有填充微孔;所述喷嘴片上设有与所述填充微孔垂直对应的喷嘴孔;所述阻挡片与填充基片之间设有第一间隙;所述填充基片与喷嘴片之间设有第二间隙;所述喷嘴孔最窄处的半径小于所述填充微孔的半径的1/2以上;所述三明治结构水平设置在所述空间中,且三明治结构的侧壁全部嵌入到所述密封腔内;所述喷嘴片的下表面用以在金属填充时紧贴一液态金属槽的上表面;所述密封腔内的气压与所述第一间隙、填充微孔、第二间隙以及喷嘴孔的气压均相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造