[发明专利]熔丝工艺的返工方法有效
申请号: | 201310064349.7 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN104022067B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 黄玮 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 邓云鹏 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种熔丝工艺的返工方法,包括下列步骤在出现了异常熔丝、需要进行熔丝工艺返工的晶圆表面淀积形成第一平坦化层,进行平坦化;在淀积有第一平坦化层的所述晶圆表面涂布光刻胶并进行光刻,露出熔丝图形窗口;对第一平坦化层进行第一步腐蚀;去除光刻胶;对第一平坦化层和异常熔丝上的介质层进行第二步腐蚀,去除第一平坦化层、去除异常熔丝上的介质层。本发明通过平坦化使得正常熔丝和异常熔丝上覆盖的介质厚度(介质层和平坦化层的总厚度)趋于一致,因此在返工时不易出现因过腐蚀导致衬底被腐蚀的情况,提高了产品的良率。 | ||
搜索关键词: | 工艺 返工 方法 | ||
【主权项】:
一种熔丝工艺的返工方法,包括下列步骤:在出现了异常熔丝、需要进行熔丝工艺返工的晶圆表面淀积形成第一平坦化层,进行平坦化;在淀积有第一平坦化层的所述晶圆表面涂布光刻胶并进行光刻,露出熔丝图形窗口;对所述第一平坦化层进行第一步腐蚀,使腐蚀后正常熔丝和异常熔丝上覆盖的介质厚度减薄至第一厚度,所述第一厚度是所述平坦化步骤后被所述光刻胶保护的第一平坦化层的厚度,以使得腐蚀后所述正常熔丝和异常熔丝上覆盖的介质厚度与所述平坦化步骤后被所述光刻胶保护的第一平坦化层的厚度趋于一致;去除所述光刻胶;对所述第一平坦化层和异常熔丝上的介质层进行第二步腐蚀,去除所述第一平坦化层、去除异常熔丝上的介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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