[发明专利]一种利用气相沉积工艺制备纳米金的方法无效
| 申请号： | 201310064454.0 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103128303A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 宋西平;窦娜娜;王涵;张蓓 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | B22F9/12 | 分类号： | B22F9/12;C23C14/34;C23C14/14;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米金属材料制备领域，涉及一种利用气相沉积工艺制备纳米金的方法。其特征在于：以纯度99.99%的金作为原料，直流溅射不同时间得到不同厚度纳米金薄膜，然后在一定温度和时间范围内进行退火，得到不同尺寸的纳米金颗粒。与目前纳米金的其它制备工艺相比较，本发明工艺简单、成本低廉，制备周期短，无环境污染。本发明制备的纳米金在光学元件、生物医学、太阳能电池、信息存储催化剂、纳米材料制备等很多领域有较广应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 沉积 工艺 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种利用气相沉积工艺制备纳米金的方法，其特征在于：以纯金作为原料，以载玻片为基底，溅射一定时间，然后在一定温度和时间范围内进行退火，得到不同尺寸的纳米金颗粒。
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