[发明专利]半导体接合结构及方法，以及半导体芯片有效
| 申请号： | 201310064575.5 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104022090B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 陈国华;林慈桦;陈冠能;黄彦斌 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L21/603 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种半导体接合结构及方法，以及半导体芯片。该半导体接合结构依序包括一第一柱体、一第一界面、一中间区域、一第二界面及一第二柱体。该第一柱体、该第二柱体及该中间区域包含一第一金属。该第一界面及该第二界面包含该第一金属及一第二金属氧化物，其中该第一金属在该第一界面及该第二界面中的含量比例小于该第一金属在该中间区域中的含量比例。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 接合 结构 方法 以及 芯片 | ||
【主权项】：
一种半导体接合结构，其特征在于，包括：一第一柱体，包含一第一金属；一第二柱体，包含该第一金属；一中间区域，位于该第一柱体及该第二柱体之间，且包含该第一金属；一第一界面，位于该第一柱体及该中间区域之间，且包含该第一金属及一第二金属氧化物，其中该第一金属在该第一界面中的含量比例小于该第一金属在该中间区域中的含量比例；及一第二界面，位于该第二柱体及该中间区域之间，且包含该第一金属及该第二金属氧化物，其中该第一金属在该第二界面中的含量比例小于该第一金属在该中间区域中的含量比例。
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