[发明专利]BCD工艺中的隔离型横向齐纳二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310064778.4 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104022162B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;胡君;石晶;段文婷;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/761 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BCD工艺中的隔离型横向齐纳二极管，包括N型深阱；N型区和P型区形成于由高压P阱和P阱所包围的第一有源区中、且分别由N和P型源漏注入区组成，N型区和P型区横向排列并相隔横向距离一，由N型区和P型区以及两者之间的掺杂区组成隔离型横向齐纳二极管的PN结，通过调节横向距离一调节隔离型横向齐纳二极管的击穿电压；低压N阱，形成于第一有源区外的N型深阱中，表面形成有由N型源漏注入区组成的N型深阱引出区。本发明还公开了一种BCD工艺中的隔离型横向齐纳二极管的制造方法。本发明器件工艺能够和BCD工艺良好的集成，不仅能够降低工艺成本，还能使整个集成电路的系统性能和可靠性得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | bcd 工艺 中的 隔离 横向 齐纳二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种BCD工艺中的隔离型横向齐纳二极管，其特征在于，包括：N型深阱，形成于半导体衬底上并用于实现隔离型横向齐纳二极管的隔离；在所述半导体衬底上形成有浅沟槽隔离结构并由所述浅沟槽隔离隔离出有源区；高压P阱，形成于所述N型深阱中并被所述N型深阱包围，所述高压P阱包围一个所述有源区，被所述高压P阱所包围的有源区定义为第一有源区；P阱，所述P阱的结深小于所述高压P阱的结深、且所述P阱叠加在所述高压P阱中，所述P阱的结深大于所述浅沟槽隔离的底部深度，所述P阱包围所述第一有源区；N型区，采用BCD工艺中的CMOS器件的N型源漏注入工艺在所述第一有源区中形成；P型区，采用BCD工艺中的CMOS器件的P型源漏注入工艺在所述第一有源区中形成；所述N型区和所述P型区横向排列于所述第一有源区的表面中并相隔横向距离一，由所述N型区和所述P型区以及位于所述N型区和所述P型区之间的且是由所述P阱和所述高压P阱叠加形成的区域一组成所述隔离型横向齐纳二极管的PN结，通过调节所述横向距离一调节所述隔离型横向齐纳二极管的击穿电压；低压N阱，形成于所述N型深阱中并位于所述第一有源区外部，在所述低压N阱表面形成有N型深阱引出区，N型深阱引出区采用BCD工艺中的CMOS器件的N型源漏注入工艺形成。
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