[发明专利]核壳Si/Fe2O3纳米线阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201310065058.X | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103159501A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 佘广为;齐小鹏;师文生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50;C01G49/06;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体纳米材料制备领域，尤其涉及一种核壳Si/Fe2O3纳米线阵列的制备方法。本发明首先通过化学刻蚀法在单晶Si片上得到Si纳米线阵列，然后再通过浸泡含有Fe(NO)3的乙醇溶液，使得Si纳米线的表面吸附上Fe(NO)3，最后在高温炉中加热吸附有Fe(NO)3的Si纳米线阵列，使得Fe(NO)3热分解为Fe2O3，从而得到以Si为核，以Fe2O3为壳的核壳Si/Fe2O3纳米线阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 核壳 si fe sub 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种核壳Si/Fe2O3纳米线阵列的制备方法，其特征是，所述的制备方法包括以下步骤：（1）Si纳米线的表面吸附Fe(NO)3：将带有取向垂直于单晶硅片的Si纳米线阵列的单晶硅片先在质量浓度为5%的氢氟酸水溶液中进行浸泡，除去Si纳米线表面的氧化层；然后再将带有取向垂直于单晶硅片的Si纳米线阵列的单晶硅片放置于含有Fe(NO)3的乙醇溶液中，使Si纳米线的表面吸附上Fe(NO)3；（2）Fe(NO)3高温热分解：将步骤（1）得到的带有表面吸附有Fe(NO)3的Si纳米线阵列的单晶硅片置入高温炉中进行加热处理，使得Fe(NO)3热分解为Fe2O3，得到核壳Si/Fe2O3纳米线阵列。
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