[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310065204.9 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN104022038B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10;H01L29/167 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有沟槽的牺牲层；在所述沟槽中形成本征应力沟道层；在所述本征应力沟道层上依次形成栅极介电层和栅极材料层；去除所述牺牲层，以露出部分所述半导体衬底；在所述露出的半导体衬底上形成作为源/漏区的含硅材料层，并对所述含硅材料层进行掺杂。根据本发明，可以形成具有本征应力沟道层的MOS器件，以进一步提升所述MOS器件的沟道载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有沟槽的牺牲层；在所述沟槽中形成本征应力沟道层；在所述本征应力沟道层上依次形成栅极介电层和栅极材料层；去除所述牺牲层，以露出部分所述半导体衬底；在所述露出的半导体衬底上形成作为源/漏区的含硅材料层，并对所述含硅材料层进行掺杂，其中，对于PMOS而言，所述掺杂的为磷离子，对于NMOS而言，所述掺杂的为硼离子，以进一步抑制短沟道效应并实现对薄层电阻值的优化控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
