[发明专利]一种激光二极管的制造方法有效
申请号: | 201310065381.7 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN103151707A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 童小春 | 申请(专利权)人: | 溧阳市宏达电机有限公司 |
主分类号: | H01S5/327 | 分类号: | H01S5/327 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 黄明哲 |
地址: | 213300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种激光二极管的制造方法,其依次包括如下步骤:在蓝宝石衬底上形成氧化镍薄膜;在氧化镍薄膜的上表面上形成镁砷共掺杂的p型ZnO晶体薄膜;在所述衬底的下表面上和所述镁砷共掺杂的p型ZnO晶体薄膜的上表面上溅射金属材料,从而分别形成底电极和顶电极。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种激光二极管的制造方法,其依次包括如下步骤:第一步,选取蓝宝石作为衬底,将该衬底放置到具有无水乙醇的超声波振荡器中进行清洗,以去除衬底表面的油脂,然后再将其放置到具有去离子水的超声波振荡器中进行清洗,以去除残余的无水乙醇;第二步,将所述衬底放入磁控溅射反应室中,通过射频磁控溅射工艺在所述衬底上形成300‑600nm厚度的氧化镍薄膜;第三步,将纯度为99.99%的氧化锌粉末、镁的摩尔含量为8‑13%的氧化镁粉末以及砷的摩尔含量为0.5‑1.5%的氧化砷粉末进行混合,然后压制形成靶材;然后将完成第二步所得的衬底放入磁控溅射反应室中,利用射频磁控溅射方法,在惰性气体环境中将靶材溅射沉积在所述氧化镍薄膜的上表面上,从而形成厚度为200‑400nm的镁砷共掺杂的p型ZnO晶体薄膜;第四步,对完成第三步的衬底进行热退火,退火气氛为氧气,退火温度为700℃,退火时间为40分钟,退火后自然冷却;第五步,在所述衬底的下表面上和所述镁砷共掺杂的p型ZnO晶体薄膜的上表面上溅射金属材料,从而分别形成底电极和顶电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于溧阳市宏达电机有限公司,未经溧阳市宏达电机有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310065381.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种文物安全照明装置
- 下一篇:加热装置及化学气相沉积设备