[发明专利]一种实现宽带光隔离的一维磁光子晶体有效
| 申请号： | 201310065842.0 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103123421A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 费宏明;刘欣;杨毅彪;陈智辉;武建加;李琳 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 戎文华 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种实现宽带光隔离的一维磁光子晶体，其基本组元S0的结构式是：[H/L]2/M/[L/H]5/M/[H/L]2/M/[L/H]2/M/[H/L]5/M/[L/H]2；其中：H是硅，L是二氧化硅，M是掺铈钇铁石榴石；其第一复合结构S1=S0/M/S0；第二复合结构S2=S0/M/S0/M/S0。本发明复合结构减少了膜层总层数，降低了制备难度，提高光隔离器工作的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 宽带 隔离 一维磁 光子 晶体 | ||
【主权项】：
一种实现宽带光隔离的一维磁光子晶体，其特征在于：所述一维磁光子晶体的基本组元S0的结构式如下： [H/L]2/M/[L/H]5/M/[H/L]2/M/[L/H]2/M/[H/L]5/M/[L/H]2；其中：H是硅，L是二氧化硅，M是掺铈钇铁石榴石；其第一复合结构S1= S0/M/S0；第二复合结构S2=S0/M/S0/M/S0。
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