[发明专利]一种薄膜电容器用镍基板的制造方法有效
| 申请号： | 201310065918.X | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103151167A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 钱时昌 | 申请（专利权）人： | 溧阳华晶电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/002 | 分类号： | H01G4/002;H01G4/33 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 蒋家华 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜电容器用镍基板的制造方法，该方法首先准备如下配比的原料：大于或等于99.98重量%的镍锭、0.001-0.002重量%的铜、0.0005-0.0008重量%的锰，0.005-0.008重量%的铝、0.0005-0.001重量%的铬，0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002重量%的钽；然后通过三次轧制和三次热退火，最终得到合适厚度的镍基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 电容 器用 镍基板 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜电容器用镍基板的制造方法，依次包括如下步骤：（1）准备如下配比的原料：大于或等于99.98重量%的镍锭、0.001‑0.002重量%的铜、0.0005‑0.0008重量%的锰，0.005‑0.008重量%的铝、0.0005‑0.001重量%的铬，0.004‑0.006重量%的铁、0.0005‑0.0012重量%的硅以及0.001‑0.002重量%的锑以及0.001‑0.002重量%的钽；（2）第一次轧制：将上述原料熔融后，对其进行第一次轧制，该第一次轧制所得的镍基板为箔片状，其厚度为3‑5毫米；（3）第一次热退火，步骤（2）所得的镍基板箔片进行第一次热退火，退火温度为650‑800℃，退火时间为60分钟；（4）第二次轧制，对步骤（3）所得的镍基板箔片进行第二次轧制，第二次轧制后得到厚度更小的箔片，其厚度为1‑2毫米；（5）第二次热退火，将步骤（4）所得的镍基板箔片进行第二次热退火，退火温度为650‑800℃，退火时间为40分钟；（6）第三次轧制，对步骤（5）所得的镍基板箔片进行第三次轧制，第三次轧制后得到厚度更小的箔片；（7）第三次热退火，将步骤（6）所得的镍基板箔片进行第三次热退火，退火温度为650‑700℃，退火时间为30分钟；（8）将步骤（7）所得的镍基板箔片裁出需要的尺寸后完成镍基板的制造。
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