[发明专利]一种薄膜电容器用复合基板有效
| 申请号： | 201310065919.4 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103165282A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 钱时昌 | 申请（专利权）人： | 溧阳华晶电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/002 | 分类号： | H01G4/002;H01G4/33 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 蒋家华 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜电容器用复合基板的制造方法，该方法通过在纯度为99.999%的纯铜基板上结合含有多种杂质的镍基板，从而构成薄膜电容器用复合基板；其中，镍基板按照重量百分比计，具有如下配比的材料：镍的含量大于或等于99.98重量%。其余0.02重量%为多种杂质。所述多种杂质包括：0.0005-0.0008重量%的锰，0.005-0.008重量%的铝、0.001-0.002重量%的银、0.0005-0.001重量%的铬，0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002重量%的钽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 电容 器用 复合 | ||
【主权项】：
一种薄膜电容器用复合基板，其特征在于：所述复合基板具有双层结构，该双层结构包括铜基板以及形成在该铜基板上的含有微量杂质的镍基板；其中，所述铜基板采用高纯度的纯铜来形成，其纯度为99.999%；其中，镍基板按照重量百分比计，具有如下配比的材料：镍的含量大于或等于99.98重量%，其余0.02重量%为多种杂质，所述多种杂质包括：0.0005‑0.0008重量%的锰，0.005‑0.008重量%的铝、0.001‑0.002重量%的银、0.0005‑0.001重量%的铬，0.004‑0.006重量%的铁、0.0005‑0.0012重量%的硅以及0.001‑0.002重量%的锑以及0.001‑0.002重量%的钽。
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