[发明专利]一种半连续熔盐电解制备太阳级多晶硅材料的方法及装置有效
| 申请号： | 201310066137.2 | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103173780A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 贾明;田忠良;汤依伟;李劼;赖延清 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00;C30B30/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半连续熔盐电解制备太阳级多晶硅材料的方法及装置，该方法是将硅氧化物原料先经过熔盐电解槽电解制得Si/M熔融合金；制得的Si/M熔融合金转移至水平精炼电解槽中精炼后获得Si/M阴极合金；所得Si/M阴极合金再通过电化学分离制得多晶硅阳极泥；将多晶硅阳极泥经洗涤后，真空干燥，即得太阳级多晶硅；装置包括熔盐电解槽和水平精炼电解槽，其中，熔盐电解槽和水平精炼电解槽通过隔板a隔断，隔板底部设有连通熔盐电解槽和水平精炼电解槽的通道；水平精炼电解槽底层设有阳极和阴极，并通过隔板b隔断，上部相通；本发明方法效率高、能耗低、成本低、低污染，制得的太阳级多晶硅符合太阳级多晶硅材料的要求，可工业化生产；装置简单、成本低，可连续工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连续 电解 制备 太阳 多晶 材料 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半连续熔盐电解制备太阳级多晶硅材料的方法，其特征在于，将硅氧化物原料先经过熔盐电解槽电解制得Si/M熔融合金；制得的Si/M熔融合金转移至水平精炼电解槽中精炼后获得Si/M阴极合金；所得Si/M阴极合金再通过电化学分离制得多晶硅阳极泥；将多晶硅阳极泥经洗涤后，真空干燥，即得太阳级多晶硅；其中，熔盐电解槽中制得的Si/M熔融合金以熔融状态从熔盐电解槽底部流入水平精炼电解槽底部，并直接作为水平精炼电解槽的阳极，以Si/M合金为阴极，通电电解后，在水平精炼电解槽阴极收集沉积硅并合金化得到Si/M阴极合金；所述水平精炼电解槽的阳极和阴极都设置在底层，并通过隔板隔断，上部通过电解质连通；所述的M为比硅正电性的金属。
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