[发明专利]制造包括含硅层和含金属层的半导体器件的方法和半导体器件的导电结构有效
| 申请号： | 201310066157.X | 申请日： | 2013-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103579117B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 卢径奉;罗相君;殷庸硕;金秀浩;金台瀚;李美梨 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/28;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;石卓琼 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：形成含硅层；在含硅层之上形成含金属层；在含硅层与含金属层之间形成切口防止层；刻蚀含金属层；以及通过刻蚀切口防止层和含硅层来形成导电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 含硅层 含金属层 半导体器件 导电结构 防止层 刻蚀 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：形成含硅层；在所述含硅层之上形成含金属层；在所述含硅层与所述含金属层之间形成切口防止层；刻蚀所述含金属层；以及通过刻蚀所述切口防止层和所述含硅层来形成导电结构，其中，形成所述切口防止层的步骤包括如下步骤：注入用于控制刻蚀速率的化学物类，其中，注入所述化学物类的步骤包括如下步骤：注入碳。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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