[发明专利]一种高深宽比微柱阵列的电场诱导压印方法有效

专利信息
申请号: 201310066561.7 申请日: 2013-03-01
公开(公告)号: CN103159164A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 丁玉成;邵金友;胡鸿;田洪淼;李祥明;姜承宝 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;G03F7/00
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 贺建斌
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种高深宽比微柱阵列的电场诱导压印方法,先进行压印模具的制备及处理,然后进行基材、电极和聚合物材料的选择再压印及脱模,然后施加外电场,电场诱导再成型最后进行聚合物的固化,本发明最终得到的高深宽比柱状阵列,广泛的用于微机电系统以及生物微流体领域,同时由于本发明不需要复杂的工艺控制,大大降低了加工成本,提高了加工效率。
搜索关键词: 一种 高深 阵列 电场 诱导 压印 方法
【主权项】:
一种高深宽比微柱阵列的电场诱导压印方法,其特征在于,包括以下步骤:1)压印模具的制备及处理:在晶圆表面利用光刻和刻蚀工艺加工出所需的圆孔阵列图形结构,并对其进行低表面能处理,即在压印模具正面制作一层厚度为20‑100nm的抗粘层C4F8;2)基材、电极和聚合物材料的选择:基材和电极都需要采用导电平板,即ITO导电玻璃或高参杂导电硅片,聚合物材料采用热塑性聚合物PMMA;3)压印及脱模:利用匀胶机在基材上旋涂一层热塑性聚合物PMMA,其厚度为10um‑50um,以10Mpa的压力P将低表面能处理后的压印模具压在基材上,使压印模具与基材紧密结合,并保证环境温度在热塑性聚合物PMMA的玻璃态转换温度以上,10‑30分钟后,冷却至室温,脱模,在基材上留下聚合物柱状阵列,聚合物柱状阵列的深宽比小于5;4)施加外电场:利用另一块ITO导电玻璃或高参杂导电硅片作为上电极,与基材组合形成一对平板电极,两平板电极之间有一层空气间隙,空气间隙是柱状阵列高度的2‑4倍,采用直流电源,电压调节范围在300‑500V,正极连上电极,负极连基材,对形成的PMMA微柱阵列施加外电场;5)电场诱导再成型:再将环境温度升至PMMA玻璃态转化温度以上,150‑200℃,调节电压大小,使电场力大于PMMA表面张力,持 续2‑10小时,直至成型过程结束;6)聚合物的固化:在保持施加电压不变的情况下,将环境温度降低到室温,PMMA固化,最终得到深宽比达到20—30的高深宽比微柱阵列。
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