[发明专利]一种干粘附微纳复合两级倾斜结构的制备工艺

摘要

一种干粘附微纳复合两级倾斜结构的制备工艺，先进行基底模版的制备，然后进行基底模板匀胶，再光刻显影，将掩膜板和第二步匀完胶的纳米基底模板贴紧，倾斜放于紫外光下曝光，去掉掩膜板，紫外光从背面垂直摄入曝光，然后在显影液中显影，得到底部大的倒八字形结构，再进行聚合物PDMS翻模，将PDMS倒在显完影的光刻胶上，抽真空，加热或者常温固化，待PDMS固化后，将其放入乙醇溶液中，超声去掉光刻胶AZ9260，将PDMS从基底模板揭下，得到微纳复合两级倾斜结构，本发明采用正反曝光实现干粘附微纳复合两级倾斜结构的制备，工艺简单，制造成本很低，加工效率高，适合商业化大规模生产加工，制备的干粘附微纳复合两级倾斜结构，可广泛用于机械手、吸附盘等领域。

主权项

一种干粘附微纳复合两级倾斜结构的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：第一步，基底模版的制备，利用电子束光刻和干法刻蚀工艺，在透明玻璃上制备纳米尺度的孔阵列，将其作为纳米基底模板，制作所需的两级结构中的第二级纳米图形结构；第二步，基底模板匀胶，利用匀胶机在第一步制作出的纳米基底模板上均匀旋涂一层厚度在微米级别的AZ9260光刻胶，匀胶转速为1000—2000r/min，并在90‑110℃之间，前烘5‑10min；第三步，光刻显影，将掩膜板和第二步匀完胶的纳米基底模板贴紧，倾斜30‑60度放于紫外光下，紫外光强度10‑25mW/cm2，曝光30‑100s，之后，去掉掩膜板，紫外光从背面垂直摄入，紫外光强度10‑25mW/cm2，曝光2‑10s，然后在显影液中显影2‑5min，通过控制显影时间，得到底部大的倒八字形结构；第四步，聚合物PDMS翻模，将配好的聚合物PDMS倒在显完影的光刻胶上，抽真空10‑20min，让PDMS充分填充，之后加热或者常温固化，待PDMS固化后，将其放入乙醇溶液中，超声波功率80‑120w，超声10‑60min，去掉光刻胶AZ9260，将PDMS从基底模板揭下，得到微纳复合两级倾斜结构。