[发明专利]用于单晶硅连续生长的系统

摘要

用于单晶锭连续生长的基于Czochralski法的改进系统，包括低长宽比、大直径以及基本平坦的坩埚，该坩埚包括围绕晶体的任选堰。低长宽比坩埚基本消除对流并减少最终单晶硅锭中的氧含量。独立的水平可控硅预熔化室为生长坩埚提供熔融硅的连续源，有利地消除了在晶体提拉过程中对垂直移动以及坩埚抬升系统的需求。坩埚下面的多个加热器建立横跨熔体的相应热区。分别控制各加热器的热输出以提供横跨熔体以及在晶体/熔体界面处的最佳热分布。提供多个晶体提拉室用于连续加工和高生产量。

主权项

一种用于从熔融晶体原料生长单晶锭的改进CZ系统，包括：包括底部和侧壁的低长宽比、宽直径坩埚，用于容纳与从熔融材料生长锭的籽晶相关的熔体/晶体界面处的一定量熔融材料，其中所述坩锅的低长宽比，直径对高度，为4∶1‑10∶1；预熔化器，用于为坩埚提供熔融晶体原料的基本连续源，使得熔体/晶体界面维持在所需水平而没有坩埚的垂直移动；包括以辐射状模式布置在坩埚底部之下的独立可控加热元件的环形加热装置，对用于对每个加热元件施加功率的控制器作出响应，使得横跨熔体和生长晶体的半径建立代表对于晶体生长最佳的热分布的相应热区。