[发明专利]一种生长BiFe1-xCoxO3系列晶体的方法

摘要

一种生长BiFe1‐xCoxO3系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料Fe2O3、Bi2O3和CoO按BiFe1‐xCoxO3化学计量比进行配料，其中x=0.01,0.03,0.05,0.07,0.09或0.11，球磨烘干、200目过筛；预烧，再次球磨、烘干，80目过筛；将粉料装入长条橡胶气球中压实封闭，抽真空10～15min，等静压下制成素坯棒；将素坯棒置于浮区炉中，以30～50℃/min的速率升温至料棒和籽晶融化，对接；设置晶体生长速度为10～15mm/h开始生长后冷却至室温。本发明首次用光学浮区法生长出直径为5～6mm、长60～100mm外观光亮深黑色的BiFe1‐xCoxO3系列晶体，成晶质量较高，简化了工艺，效率高。

主权项

一种生长BiFe1‐xCoxO3系列晶体的方法，其特征步骤如下：(1)将粉料Fe2O3、Bi2O3和CoO按BiFe1‐xCoxO3化学计量比进行配料，其中x=0.01,0.03,0.05,0.07,0.09或0.11，球磨烘干、200目过筛；在830～850℃保温1h条件下预烧，再次球磨、烘干，80目过筛；(2)将（1）中制得的80目过筛后的粉料装入长条橡胶气球中压实封闭，抽真空10～15min，在65～70MPa等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒；(3)将（2）中制得的素坯棒置于风浮区炉中，设置料棒和籽晶的旋转方向为反向，旋转速度为10～30rpm，浮区炉的卤素灯的输出功率为1000～1100W/h，以30～50℃/min的速度升温至料棒和籽晶融化，对接；设置晶体生长速度为10～15mm/h开始生长；(4)设置降温时间为0.5～1h，将生长出的晶体冷却至室温。