[发明专利]一种镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310067218.4 申请日: 2013-03-01
公开(公告)号: CN103147042A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 钱时昌 申请(专利权)人: 溧阳华晶电子材料有限公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/35
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人: 蒋家华
地址: 213300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的制造方法,依次包括:将蓝宝石作为衬底放置到具有无水乙醇的超声波振荡器中进行清洗,去除衬底表面的油脂,再将其放置到具有去离子水的超声波振荡器中进行清洗,去除残余的无水乙醇;将纯度为99.99%的氧化锌粉末、镁的摩尔含量为8-13%的氧化镁粉末以及砷的摩尔含量为0.5-1.5%的氧化砷粉末进行混合,然后压制形成靶材;将衬底放入磁控溅射反应室中,利用射频磁控溅射方法,在惰性气体环境中将靶材溅射沉积在衬底之上,从而在衬底上形成厚度为200-400nm的镁砷共掺杂的p型ZnO晶体薄膜;第五步,将完成第四步的衬底自然冷却。
搜索关键词: 一种 镁砷共 掺杂 氧化锌 薄膜 制造 方法
【主权项】:
一种镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的制造方法,依次包括如下步骤:第一步,选取蓝宝石作为衬底1,将该衬底1放置到具有无水乙醇的超声波振荡器中进行清洗,以去除衬底1表面的油脂,然后再将其放置到具有去离子水的超声波振荡器中进行清洗,以去除残余的无水乙醇;第二步,将纯度为99.99%的氧化锌粉末、镁的摩尔含量为8‑13%的氧化镁粉末以及砷的摩尔含量为0.5‑1.5%的氧化砷粉末进行混合,然后压制形成靶材;第三步,将完成第一步工艺的衬底1放入磁控溅射反应室中,利用射频磁控溅射方法,在惰性气体环境中将靶材溅射沉积在衬底之上,从而在衬底1上形成厚度为200‑400nm的镁砷共掺杂的p型ZnO晶体薄膜2;第四步,对完成第三步的衬底1进行热退火,退火气氛为氧气,退火温度为700℃,退火时间为40分钟;第五步,将完成第四步的衬底自然冷却。
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