[发明专利]具有自适应性衬底间接合的MEMS结构有效
| 申请号： | 201310067441.9 | 申请日： | 2013-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103848390A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 梁凯智;李久康;林宗贤;李德浩;朱家骅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了具有自适应性衬底间接合的MEMS结构。公开了一种包含多个结合的衬底的MEMS结构和形成该MEMS结构的方法。示例性MEMS结构包括具有底面的第一衬底和具有与第一衬底的底面基本上平行的顶面的第二衬底。第一衬底的底面通过锚固件与第二衬底的顶面连接，从而使得锚固件未延伸穿过第一衬底的底面或第二衬底的顶面。该MEMS结构可以包括接触第一衬底的底面并且被塑造成至少部分地包围锚固件的接合层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 自适应性 衬底 间接 mems 结构 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件，包括：具有底面的第一衬底；和具有与所述第一衬底的底面基本上平行的顶面的第二衬底，其中所述第一衬底的底面通过锚固件与所述第二衬底的顶面连接，以及其中所述锚固件未延伸穿过所述第一衬底的底面或所述第二衬底的顶面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310067441.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
