[发明专利]用于使半导体组合件中的焊料凸块自对准的双焊料半导体芯片、装置以及双焊料方法

摘要

本申请案涉及用于使半导体组合件中的焊料凸块自对准的双焊料半导体芯片、装置以及双焊料方法。一种半导体装置(100)包括通过焊接接点组装于衬底(130)上的半导体芯片(101)，所述芯片与所述衬底具有具第一面积的第一组接触焊垫(110，140)，相应焊垫垂直对准且通过由具有第一体积和第一熔融温度的第一焊料制成的接点(160)连接；且所述芯片与所述衬底具有具第二面积的第二组接触焊垫(122，150)，相应焊垫垂直对准且通过由具有第二体积和第二熔融温度的第二焊料制成的接点(170)连接，所述第一熔融温度低于所述第二熔融温度。

主权项

1.一种半导体芯片，其包括：第一组非电活性接触焊垫，其具有由具有第一体积和仅具有第一熔融温度的第一焊料凸块覆盖的第一面积，所述第一组非电活性接触焊垫用作对准焊垫；以及第二组电活性接触焊垫，其具有由具有第二体积和第二熔融温度的第二焊料凸块覆盖的第二面积；所述第一熔融温度低于所述第二熔融温度；其中第一焊料和第二焊料选自具有适当对的群组，所述适当对包含：第一焊料为具有熔融温度221℃的共晶二元锡‑银合金且第二焊料为具有熔融温度232℃的锡100合金的对；第一焊料为具有熔融温度139℃的共晶二元锡‑铋合金且第二焊料为具有熔融温度221℃的共晶二元锡‑银合金的对；第一焊料为具有熔融温度120℃的共晶二元锡‑铟合金且第二焊料为具有熔融温度221℃的共晶二元锡‑银合金的对；以及其中所述第一焊料的其它选项还包含：具有熔融温度183℃的二元共晶锡‑铅合金、具有熔融温度198.5℃的二元共晶锡‑锌合金、具有熔融温度217℃的二元共晶锡‑金合金以及具有熔融温度227℃的二元共晶锡‑铜合金。