[发明专利]一种对InP材料进行减薄和抛光的方法有效
| 申请号： | 201310068641.6 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103199014A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 汪宁;苏永波;金智 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/3065;B24B37/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对InP材料进行减薄和抛光的方法，包括：制作对InP材料进行减薄用的硅片研磨衬垫；利用该硅片研磨衬垫对InP材料进行减薄；对InP材料进行化学机械抛光；对完成化学机械抛光的InP材料进行清洗；以及将清洗后的InP材料放入ICP刻蚀机进行等离子抛光。利用本发明，大大提高了减薄效果，实现了无污染，低损伤，高效率，镜面效果的减薄抛光衬底，解决了InP MMIC后道的工艺难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp 材料 进行 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种对InP材料进行减薄和抛光的方法，其特征在于，包括：制作对InP材料进行减薄用的硅片研磨衬垫；利用该硅片研磨衬垫对InP材料进行减薄；对InP材料进行化学机械抛光；对完成化学机械抛光的InP材料进行清洗；以及将清洗后的InP材料放入ICP刻蚀机进行等离子抛光。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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