[发明专利]一种硅面SiC外延石墨烯液相氟插层方法无效
| 申请号： | 201310068741.9 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103130215A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 郝昕;陈远富;王泽高;李萍剑;刘竞博;张万里;李言荣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种硅面SiC外延石墨烯液相氟插层方法，可实现去除衬底耦合效应的目的。包括：（1）对硅面SiC衬底上生长的外延石墨烯待插层样品进行清洁处理；（2）按照1∶1的体积比配制氢氟酸和浓硝酸的混合酸溶液，并将待插层样品浸泡于混合酸溶液中；（3）向混合酸溶液中加入金属钼块，使得所述混合酸溶液与金属钼发生剧烈反应；（4）待步骤3所述过程持续10～20小时后，将样品取出，清洁、烘干后得插层处理后的硅面SiC衬底上生长的外延石墨烯样品。插层后氟将界面缓冲层之间的键打断并将悬挂件饱和，同时部分缓冲层被转化为石墨烯。本发明具有简单，对设备要求低等优点，在工业生产领域有着较大的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 外延 石墨 烯液相氟插层 方法 | ||
【主权项】：
一种硅面SiC外延石墨烯液相氟插层方法，包括以下步骤：步骤1：对硅面SiC衬底上生长的外延石墨烯待插层样品进行清洁处理，以去除所述待插层样品表面的污染物；步骤2：配制氢氟酸和浓硝酸的混合酸溶液。采用质量浓度为47%～51%的氢氟酸和质量浓度为65%的浓硝酸按照1∶1的体积比配制氢氟酸和浓硝酸的混合酸溶液；步骤3：经步骤1处理后的待插层样品室温下浸泡于步骤2所配制的混合酸溶液中，并在通风良好的环境下投入金属钼，使得所述混合酸溶液与金属钼发生剧烈反应，并生成大量NO2气体；步骤4：待步骤3所述过程持续10～20小时后，将硅面SiC衬底上生长的外延石墨烯样品取出，清洁、烘干后得插层处理后的硅面SiC衬底上生长的外延石墨烯样品。
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