[发明专利]一种具有阻变存储特性的纳米粒子薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201310069288.3 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103178208A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 李建昌;徐彬;王玉磊;侯雪艳;巴德纯 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 沈阳东大专利代理有限公司 21109 | 代理人： | 梁焱 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有阻变存储特性的纳米粒子薄膜及其制备方法。本发明的一种具有阻变存储特性的纳米粒子薄膜，是具有至少一层结构的金属氧化物纳米粒子薄膜、掺杂有金属元素的金属氧化物纳米粒子薄膜或者二者的复合纳米粒子薄膜，其厚度为50-1000nm，薄膜的阈值电压为1-3V，开关比为100~900，开关可重复性为至少为10次。其制备方法是首先采用溶胶凝胶法制备溶胶，然后对溶胶进行碱处理，最终得到纳米粒子并旋涂在基片上。本发明制备的应用于非挥发性存储器的纳米粒子薄膜缺陷较少、致密性好及平滑度高；纳米粒子较小、密度高且分布均匀，阻态转换稳定性较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 存储 特性 纳米 粒子 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有阻变存储特性的纳米粒子薄膜，其特征在于是具有至少一层结构的金属氧化物纳米粒子薄膜、掺杂有金属元素的金属氧化物纳米粒子薄膜或者二者的复合纳米粒子薄膜，其厚度为50‑1000nm，薄膜的阈值电压为1‑3V，开关比为100~900，开关可重复性为至少为10次。
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