[发明专利]一种晶圆结构以及应用其的功率器件无效
| 申请号： | 201310069739.3 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103151371A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 廖忠平 | 申请（专利权）人： | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 依据本发明的一种晶圆结构以及应用其的功率器件，其中晶圆结构包括高浓度掺杂的第一掺杂层以及依次位于所述第一掺杂层上的第二掺杂层和第三掺杂层；其中，所述第三掺杂层的掺杂浓度大于所述第二掺杂层的掺杂浓度。在功率器件中，MOSFET器件在第三掺杂层上形成的有源区由于体区之间的外延部分为高浓度掺杂，在对器件的击穿电压没有影响的情况下，能够大大降低导通电阻；在IGBT器件的有源区中，体区之间的高浓度外延层利于调整发射极侧空穴密度形成高空穴浓度阻挡层，从而降低器件的饱和压降参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 以及 应用 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种晶圆结构，其特征在于，包括高浓度掺杂的第一掺杂层以及依次位于所述第一掺杂层上的第二掺杂层和第三掺杂层；其中，所述第三掺杂层的掺杂浓度大于所述第二掺杂层的掺杂浓度。
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