[发明专利]MEMS电容式压力传感器有效
| 申请号： | 201310070529.6 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103308239B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林;马丁·古森思;约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克;皮特·杰勒德·斯蒂内肯;奥拉夫·温尼克 | 申请（专利权）人： | ams国际有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 瑞士拉珀*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 压力传感器通过利用电容式读出方法测量MEMS薄膜的挠曲来测量压力。存在两种方式实施本发明。一种方式涉及集成皮拉尼传感器的使用，另一种方式涉及集成谐振器的使用，所述谐振器用作参考压力传感器，用于测量内部腔体压力。 | ||
| 搜索关键词： | mems 电容 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种压力传感器，包括：第一压力传感器元件(170)，包括电容式MEMS压力传感器，所述电容式MEMS压力传感器具有可变形上电极以及由第一腔体部分隔开的固定下电极，其中所述上电极响应于外部压力和内部腔体压力之间的压力差而变形；以及第二压力传感器元件(172)，包封在第二腔体部分内，其中所述第二腔体部分具有刚性的顶盖，其中连接第一和第二腔体部分以限定组合的密封腔体，所述第二压力传感器元件测量所述内部腔体压力，其中，所述传感器还包括用于对第一和第二压力传感器元件输出进行组合的装置，使得第二压力传感器元件输出提供第一压力传感器输出的校准；其中所述第二压力传感器元件(172)包括皮拉尼压力计，或者所述第二压力传感器元件(172)包括MEMS谐振器，其中使用所述MEMS谐振器的谐振频率来确定压力，或者其中所述MEMS谐振器的谐振频率的品质因数用于确定压力，其中检测程序使用所述第一压力传感器元件的电容性输入，所述电容性输入具有与所述第二压力压力传感器元件提供的内部腔体压力有关的数据，其中所述第一和第二腔体部分并排地位于CMOS集成电路上，所述可变形上电极(164)包括钨，并且将氮化硅覆盖层(176)应用于可变形上电极(164)上。
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