[发明专利]提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法与应用在审
| 申请号： | 201310070581.1 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103456611A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 周志文 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518172 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法及其应用。该提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法，包括如下步骤：提供锗衬底、采用离子注入法在所述锗衬底中注入N型杂质离子、对锗衬底进行退火处理、重复进行在锗衬底中注入N型杂质离子和退火处理的步骤。该提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法通过对锗衬底进行离子注入/退火处理的循环工艺可以有效控制并降低锗材料的缺陷密度，防止掺杂离子的扩散，使得掺杂离子的激活率高，可以完全被激活，提高掺杂载流子浓度。因此，该提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法可以用于制备含锗材料器件。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 材料 掺杂 载流子 浓度 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种提高锗材料N型掺杂载流子浓度的方法，包括如下步骤：提供锗衬底；采用离子注入法在所述锗衬底中注入N型杂质离子；将注入有N型杂质离子的所述锗衬底进行退火处理；将经步骤退火处理的所述锗衬底依次重复进行在所述锗衬底中注入N型杂质离子和退火处理的步骤；其中，每次进行注入N型杂质离子的步骤时，注入在所述锗衬底中N型杂质离子的量不高于N型杂质离子在所述锗衬底中固溶度的1/3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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