[发明专利]激光二极管阵列和激光二极管单元无效
| 申请号： | 201310070754.X | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103311806A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 若林和弥;大野智辉 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/022 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开涉及激光二极管阵列和激光二极管单元，其中，一种激光二极管阵列包括：热消散器；彼此独立地设置在热消散器上的多个底座；以及多个激光二极管器件，包括具有不同振荡波长的两种以上激光二极管器件，激光二极管器件被设置在各自的底座上，并且彼此被电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管 阵列 单元 | ||
【主权项】：
一种激光二极管阵列，包括：热消散器；彼此独立地设置在所述热消散器上的多个底座；以及多个激光二极管器件，包括具有不同振荡波长的两种以上激光二极管器件，所述激光二极管器件被设置在各自的底座上，并且彼此被电连接。
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