[发明专利]掺铬硅酸镁钙可调谐激光晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201310070800.6 | 申请日： | 2013-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103173862B | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 王国富;黄溢声;米红星;林州斌;张莉珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B15/00;H01S3/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供掺铬硅酸镁钙可调谐激光晶体及其制备方法。该晶体分子式为Cr3+CaMgSi2O6，属于单斜晶系，空间群为C12/c1，晶胞参数为a=9.741 Å，b=8.901 Å，c=5.257 Å，β=105.97°，V=439.1Å3，Z=4，Dc=3.271 g/cm3。Cr3+CaMgSi2O6为同成分熔化化合物，可用提拉法生长出高光学质量和大尺寸的晶体，生长条件为生长温度1500℃，提拉速度为0.2~0.8毫米/小时，晶体转速为10~20转/分钟。其可调谐范围在700~1350nm之间，该晶体可望成为一种新的可调谐激光晶体，并获得实际应用。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸 镁钙可 调谐 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
可调谐激光晶体掺铬硅酸镁钙，其特征在于：该晶体的分子式为Cr3+：CaMgSi2O6，属于单斜晶系，具有C12/c1空间群结构，晶胞参数为β＝105.97°，Z＝4，Dc＝3.271g/cm3，可产生可调谐激光；作为掺杂离子的铬离子其价态为+3价，取代晶体中镁离子的晶格位置，其掺杂浓度在0.2at％～5％at％之间。
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