[发明专利]III族氮化物单晶的制造方法无效
| 申请号： | 201310072066.7 | 申请日： | 2008-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103173864A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 仓冈义孝;角谷茂明;三好实人;今枝美能留 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B9/12 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 日本爱知县名古*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过气相生长法在基板（1）上形成由III族氮化物构成的基底膜（2）。通过在氢存在下加热处理基板（1）以及基底膜（2），除去基底膜（2）使基板（1）的表面粗面化。通过气相生长法在基板（1A）的表面形成由III族氮化物单晶构成的籽晶膜（4）。在籽晶膜（4）上通过助熔剂法培养III族氮化物单晶（5）。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物单晶的制造方法，特征在于，具有：基底膜形成工序，通过气相生长法在基板上形成由III族氮化物构成的基底膜；蚀刻工序，通过在氢存在下，于1000℃以上、1300℃以下加热处理所述基板以及所述基底膜，除去所述基底膜使所述基板的表面粗面化；籽晶膜形成工序，通过气相生长法在所述基板表面形成由选自镓、铝以及铟的一种以上的金属的氮化物的单晶构成的籽晶膜，在所述基板和所述籽晶膜之间形成空隙率15～45%的空隙；以及单晶培养工序，在所述籽晶膜上通过钠助熔剂法培养由选自镓、铝以及铟的一种以上的金属的氮化物构成的III族氮化物单晶。
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