[发明专利]制造薄膜晶体管的方法、制造显示基板的方法及显示基板有效
申请号: | 201310074029.X | 申请日: | 2013-03-08 |
公开(公告)号: | CN103311126B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 金保成;宋俊昊;D-N.金;郑然泽;赵康文;崔泰荣;加纳正隆 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/34 | 分类号: | H01L21/34;H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了制造薄膜晶体管的方法、制造显示基板的方法及显示基板。在制造薄膜晶体管的方法中,栅电极形成在基底基板的第一表面上,氧化物半导体层、绝缘层和光致抗蚀剂层形成在具有栅电极的基底基板的第一表面上。使用第一光致抗蚀剂图案来图案化绝缘层和氧化物半导体层,以形成蚀刻阻挡物和有源图案。源电极和漏电极形成在具有有源图案和蚀刻阻挡物的基底基板上,源电极和漏电极与蚀刻阻挡物的两端重叠并且彼此间隔开。因此,通过省略形成有源图案和蚀刻阻挡物的掩模,可以降低制造成本。 | ||
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【主权项】:
一种制造薄膜晶体管的方法,所述方法包括:在基底基板的第一表面上形成栅电极和栅线;在具有所述栅电极和所述栅线的所述基底基板的所述第一表面上依次形成氧化物半导体层、绝缘层和光致抗蚀剂层;用光照射所述基底基板的第二表面,所述光穿过所述基底基板并进入所述光致抗蚀剂层中以形成第一光致抗蚀剂图案,所述第二表面与所述第一表面相反;通过使用所述第一光致抗蚀剂图案来图案化所述绝缘层和所述氧化物半导体层以形成绝缘图案和氧化物半导体图案,所述绝缘图案设置在所述栅电极和所述栅线上,所述氧化物半导体图案设置在所述栅电极和所述绝缘图案之间以及在所述栅线和所述绝缘图案之间;在具有所述氧化物半导体图案和所述绝缘图案的基底基板上形成数据金属层;在所述数据金属层上形成第二光致抗蚀剂图案;第一次图案化所述数据金属层以形成交叉所述栅线的数据线并且部分地暴露所述绝缘图案;图案化所述绝缘图案和所述氧化物半导体图案以形成与所述栅电极交叠的有源图案、在所述有源图案上的蚀刻阻挡物、和仅位于所述栅线与所述数据线交叠的地方的虚设图案;以及第二次图案化所述数据金属层以形成源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极的端部与所述蚀刻阻挡物的端部重叠,所述源电极和所述漏电极彼此间隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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