[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明涉及半导体存储装置。该半导体存储装置具备沿着第1方向延伸的多个第1布线；沿着与第1方向交叉的第2方向延伸的多个第2布线；和存储单元阵列，在该第1布线和第2布线的交叉部排列连接在两布线之间的存储单元而成。在存储单元阵列的周围的周边区域形成有多个第1伪布线区域。接触部在周边区域形成为在相对于第1方向和第2方向垂直的第3方向上延伸。在接触部的周围形成有第2伪布线区域。第2伪布线区域的面积的平均值比多个第1伪布线区域的面积的平均值小。

主权项

一种半导体存储装置，其特征在于，具备：沿着第1方向延伸的多个第1布线；沿着与所述第1方向交叉的第2方向延伸的多个第2布线；存储单元阵列，在所述多个第1布线和所述多个第2布线的各交叉部排列连接在两布线之间的存储单元而成；多个第1伪布线区域，在所述存储单元阵列的周围的周边区域，包括形成在与所述多个第1布线和所述多个第2布线同一层的第1伪布线和第2伪布线；接触部，在所述周边区域，形成为在相对于所述第1方向和所述第2方向垂直的第3方向上延伸；和多个第2伪布线区域，在所述接触部的周围形成，包括形成在与所述第1布线和所述第2布线同一层的第3伪布线和第4伪布线，多个所述第2伪布线区域的面积的平均值比多个所述第1伪布线区域的面积的平均值小。