[发明专利]一种非挥发性内存结构及其方法

摘要

本发明提供一种非挥发性内存结构及其方法。在多阶储存单元非挥发性内存系统中，是以NVM单元临界电压位准的状态来表示储存于NVM单元中的多位信息。NVM单元的临界电压位准的P个状态被分成N群临界电压位准，每一群又包含M个临界电压位准，其中P=N×M。通过施加一相对应栅电压，可感测与解析每一群的M个临界电压位准。通过依序施加N个不同栅电压，可以有效地将NVM单元的临界电压位准的P个状态转换为多阶储存单元非挥发性内存单元的储存位。

主权项

一种非挥发性内存结构，其特征在于，所述非挥发性内存结构包含：一金属氧化物半导体场效晶体管，包含：一储存层，用以储存表示P个不同值的其一的电荷量；以及一控制闸；一电压产生器，用以依序产生2n个不同电压位准，其中当所述电压产生器被施加至所述控制闸时，所述金属氧化物半导体场效晶体管回应所述依序被产生的2n个不同电压位准而产生一相应的反应电流；一第一决定电路，用以比较所述反应电流、一低界限电流位准和一高界限电流位准，以决定是否传递对应于所述2n个不同电压位准的n个位数据；以及一第二决定电路，用以根据(2m－1)个不同参考电流位准来测量所述反应电流以得到m个位数据，并根据所述第一决定电路的比较结果决定是否传递所述m个位数据；其中，所述n个位数据和所述m个位数据构成所述P个不同值；以及其中，n≠0，m≠0，log2P=(m+n)以及P是一个大于2的整数。