[发明专利]一种硅电力电子器件钼片镀镍方法有效
| 申请号： | 201310075632.X | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103132112A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 项卫光;朱泽鑫;徐伟;李有康;李晓明 | 申请（专利权）人： | 浙江正邦电力电子有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/12 | 分类号： | C25D3/12;C25D5/14;C25D17/16 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 柯利进 |
| 地址： | 321400 浙江省丽水市缙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅电力电子器件钼片镀镍方法，其特征是：所述钼片放入滚筒内一起浸入镀液中滚镀，镀液中含硫酸镍250g/L、氯化镍50g/L、硼酸45g/L和硫酸镁20g/L；镀液温度40-55℃，pH值为8-9，滚筒转速10-15转/分，电镀电源阳极与电镀的金属镍板连接，阳极电流80-90A，阴极引入滚筒内与钼片接触，电镀时间40-60分钟；钼片一次镀镍后倒出滚筒用清水清洗干净，然后烘干按常规放进通氢炉合金，退火后按上述方法重复进行第二次镀镍，再倒出钼片清洗、烘干完成。所述钼片镀镍层厚度易控制，且操作方便，镀液可重复使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电力 电子器件 钼片镀镍 方法 | ||
【主权项】：
一种硅电力电子器件钼片镀镍方法，其特征是：所述钼片放入滚筒内一起浸入镀液中滚镀，镀液中含硫酸镍250g/L 、氯化镍50g/L、硼酸45g/L和硫酸镁20g/L；镀液温度为40‑55℃，PH值为8‑9，滚筒转速10‑15转/分，电镀电源阳极与电镀的金属镍板连接，阳极电流80‑90A，阴极引入滚筒内与钼片接触，电镀时间40‑60分钟；钼片一次镀镍后倒出滚筒用清水清洗干净，然后烘干按常规放进通氢炉合金，退火后按上述方法重复进行第二次镀镍，再倒出钼片清洗、烘干完成。
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