[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310076234.X | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN103151389A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张锡明 | 申请（专利权）人： | 华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 215217 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，其包含下列步骤。提供源极及漏极。形成图形绝缘层局部覆盖源极及漏极，并暴露出一部分源极及一部分漏极。形成氧化物半导体层接触源极的该部分及漏极的该部分。提供栅极。提供位于氧化物半导体层与栅极间的一栅介电层。在此亦提供一种薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，包含下列步骤：提供一源极及一漏极；形成一图形绝缘层局部覆盖该源极及该漏极，并暴露出部分该源极及部分该漏极；形成一氧化物半导体层接触该源极的该部分及该漏极的该部分；提供一栅极；以及提供位于该氧化物半导体层与该栅极间的一栅介电层。
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